NDD03N80ZT4G

产品描述

MOSFET

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数量:117440

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新加坡
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规格书
工厂包装数量	2500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	800 V
晶体管极性	N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4.1 V
Qg - Gate Charge	17 nC
封装/外壳	TO-252-3
下降时间	9 ns
安装风格	SMD/SMT
品牌	ON Semiconductor
通道数	1 Channel
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
晶体管类型	1 N-Channel
正向跨导 - 闵	2.1 S
Id - Continuous Drain Current	2.9 A
Rds On - Drain-Source Resistance	3.7 Ohms
RoHS	RoHS Compliant
典型关闭延迟时间	17 ns
封装	Reel
典型导通延迟时间	9 ns
最低工作温度	- 55 C
Pd - Power Dissipation	96 W
上升时间	7 ns
技术	Si

型号	厂家	产品描述
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